コア誘導フィルター技術のブレークスルーは、電子デバイスのエネルギー効率のアップグレードを促進します

2025,07,27

高周波および統合電子デバイスの傾向の下で、電力管理と信号処理のコアコンポーネントとしての「フィルターインダクタ」は、最近、新しい技術の進歩を目撃しました。核となる原則は、誘導コイルの電磁特性を介して電流の突然の変化を抑制し、回路の安定性を最適化することです。

技術原則とアプリケーション

インダクタを通過する電流の特性

電流がインダクタを通過すると、コイルは自己誘発電気的な電気力を生成し、電流の瞬間的な変化を妨げます。この「慣性」特性は、脈動する電流を効果的に滑らかにし、高周波ノイズを除外することができます。たとえば、スイッチング電源では、インダクタとコンデンサがLCフィルターを形成して、パルス直方向電流を滑らかな出力に変換します。

フィルターインダクタンスパラメーターの設計

インダクタンス値の選択は、フィルタリング効果に直接影響します。

低いインダクタンス値：高周波ノイズ抑制に適していますが、低周波フィルタリング機能を低下させる可能性があります。

高いインダクタンス値：低周波フィルタリングを強化しますが、体積と損失を増加させます。

エンジニアは、機器の周波数応答に基づいてパラメーターを正確に一致させる必要があります（たとえば、5Gベースステーションは3GHzを超える干渉に対処する必要があります）

業界の傾向と課題

現在、国内の帰納的フィルターは依然としてハイエンドフィールドで課題に直面しています：材料ボトルネック：高周波アプリケーションには、ナノ結晶やフェライトコアなどの高性能磁気コアが必要ですが、国内生産率は10％未満です。

統合要件：携帯電話のRFモジュールは、インダクタ、PA（パワーアンプ）、および回路の小型化統合を要求し、比較的高い技術的障壁をもたらします。

将来の見通し

第3世代の半導体（GAN、SIC）の普及により、高周波および高温耐性インダクタの需要が急増しています。国内企業は、IDMモデル（設計製造統合）を通じてプロセスの制限を突破しています。 2025年までに、自動車用電子機器とデータセンターが帰納的フィルターの増分市場になると予想されます

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